1、基本知識

　　常溫常壓下三氟化氮是無色、無味、性質穩定的液化氣體。沸點3360-129.熔點：-206.8.高純三氟化氮幾乎沒有氣味。因為熱力學上穩定的氧化劑，可以在約350分解成被子畫質素和氟化氣體，所以反應性和氟差不多。三氟化氮用作氧化劑時，發生反應時，可用作被子畫質素的自由基來源。

　　2、用途

　　IC方面：在半導體工業中，作為氣體清洗劑的PFC對環境有害，因此近年來有被三氟化氮(NF3)取代的趨勢。使用NF3作為化學蒸汽沉積(CVD)箱清洗劑，與全氟碳氫化合物相比，可以減少約90%的污染物排放量，大大提高清洗速度，從而使清洗設備容量提高約30%。

　　LCD側：NF3也可用作蝕刻劑，并用于LCD(液晶屏)加工。為此，近幾年NF3需求急劇增加，90年代中期全球年用量低于46T，2013年為5100噸。為了滿足日益增長的需求，世界各生產者正在積極擴大生產能力，預計每年增長約15%。但是三氟化氮(NF3)的GWP值達到10800.今后的發展可能會受到一定的限制。

　　太陽能電池：NF3作為蝕刻和清潔氣體也在太陽能電池制造業中廣泛使用。

　　3、生產方式

　　三氟化氮的制備方法主要有直接化法和氟化氫溶解鹽電解法兩種。直接化法生產三氟化氮的過程中不產生爆炸性氣體，生產安全，但化學合成過程難以控制，雜質含量多，工藝設備比電解法相關設備復雜。電解法生產三氟化氮的過程中，HF和F2沒有得到充分利用，不可避免地會造成環境污染和原料浪費，但其使用設備生產成本低，產品收率高。直接化法和電解法各有利弊，目前日本和國內生產高純三氟化氮的企業大多采用NH4HF2溶解鹽電解法，歐美普遍采用直接化法。

• 　　直接化合法

　　直接化法生產NF3的反應分為三種方法：氣-氣反應、氣-液反應和氣-固反應。但是，由于氣-氣反應，即溴和氨直接化合生成NF3的產率低(見CN100333993C、CN1213943C)，工藝過程不容易控制，工業主要使用最后兩種方法(氣-液反應和氣-固反應)生產三氟化氮。國內外企業在中國申請或許可的三氟化氮制備方法的專利有14項。

• 　　電解法

　　工業上電解法生產三氟化氮主要是電解溶解的NH4F xHF。NF3的電解工藝已經比較成熟，一些外國公司都使用電解法生產三氟化氮。電解過程中陽極產生F2，為了減少電解質產生的F2量和電解質揮發的HF量，電解質中NH4F電解反應的比例應過多，NH4F和HF的物質比例為1.1 ~ 1.5.電解溫度約為100 ~ 120 。這個溫度不僅能保證電解質中的離子快速移動到電極上，還能保證氣體迅速從電極表面逸出，迅速溢出電解質。電解電壓為6.7 ~ 7.2V，電流密度約為0.01~ 0.32 A/mm2.電解槽的生產能力與電解的有效面積和電流密度密切相關，電流密度的大小直接影響NF3的收率，如果電流密度小于0.01A/MM2.NI的沉積速率很小，但NF3氣體的收率也很小。電流密度大于0.32 A/mm2會提高NF3氣體的產率，但電解溫度難以控制，易爆炸，電解過程不穩定，不安全。